数量
价格
总价
1
$3.8280
$3.8280
10
$3.2120
$32.1200
100
$2.5960
$259.6000
500
$2.3100
$1,155.0000
1000
$1.9800
$1,980.0000
2500
$1.8590
$4,647.5000
5000
$1.7930
$8,965.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | Die |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 29A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 3.3mOhm @ 16A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 5.5mA |
| 供应商设备包 | Die |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1180 pF @ 50 V |
