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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP65H050G4YS
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
-
管子
502
价格:
$10.9010
库存: 502
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总价

1

$15.7960

$15.7960

10

$13.9150

$139.1500

450

$10.9010

$4,905.4500

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产品详情
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TP65H050G4YS
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TP65H050G4YS
单 FET、MOSFET
Transphorm
650 V 35 A GAN
单 FET、MOSFET
管子
502 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列SuperGaN®
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)132W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-4L
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V
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